2026-Feb-02

第三屆 2026「致茂論文獎」決賽入圍名單&注意事項

▶ 決賽作品繳交事宜與時程：
1. 決賽議程時間：2026（115）年3月19日（星期四）09:30~16:00。
2. 決賽簡報檔案請於2026（115）年2月27日（星期五）前繳交。
3. 請各位參賽同學使用主辦提供之簡報檔制式格式（下載）製作決賽簡報，請勿提及您的校系名、指導教授姓名，避免影響決賽審查。
4. 每組論文決賽總時長20分鐘（含15分鐘簡報&5分鐘評審問答及評分）。
5. 其他相關決賽注意事項，主辦單位後續會再通知。

論文投稿類別：電力電子相關技術

論文編號
中文題目
2025014
基於自適應相位遮蔽演算法之多相交錯式功率因數修正器效率最佳化研究
2025015
應用於伺服器電源5.5 kW三相LLC諧振轉換器之研製與分析
2025032
雙自適應虛擬阻抗去中心化二次控制之孤島微電網虛擬同步發電機
2025034
具參數強健前饋補償之改良型直接功率控制於三相不平衡電網T-type整流器直流端輸出電壓漣波抑制
2025037
單級混合式電磁干擾濾波器
2025050
最佳化鋰離子電池多階段定電壓充電法
2025061
基於碳化矽之輔助諧振換向極變頻器應用於內藏式永磁同步馬達驅動
2025073
具自適應虛擬慣量控制之三相三階T型換流器研製
2025081
應用於AI伺服器之高功率密度電源模組研製
2025084
相移全橋轉換器之效率優化
2025085
三相Vienna整流器非單位功因之最佳化電流策略考慮輸入電網不平衡及輸出中性點主動不平衡之應用
2025087
應用於馬達驅動器寬能隙電晶體之在線溫度監測電路研發
2025090
六相永磁同步馬達驅動器之電流不平衡及電流諧波抑制策略研發
2025092
考量時間延遲之永磁同步馬達模擬器建模
2025094
基於TCAD的p-GaN HEMT電場調控研究：場板與RESURF p-GaN島的組合設計

論文投稿類別：半導體測試相關技術

論文編號
中文題目
2025005
利用單晶片系統實現在半導體製造環境中靜電放電事件的即時監控與控制
2025031
應對長尾和噪音標籤：基於考量標籤稀有性的標籤翻新策略的兩階段解決方法
2025038
用於準確時脈抖動量測之具有不確定性校準機制的循環式時間數位轉換器
2025060
基於雙通訊與跨層虛實整合之智慧晶圓點測數位孿生系統
2025063
運用創新式光學背焦對準技術於準零阿貝誤差晶圓量測平台之研發
2025064
透過擴散模型與降維技術進行瑕疵合成與過濾
2025067
應用於自動測試機台之高時間解析度訊號產生器
2025072
智慧刀具磨耗預測演算法於實用 CNC 銑削加工過程之開發與評估
2025075
一種新穎的全晶片後脈衝評估技術應用於116 × 160 Ge-on-Si 單光子雪崩二極體陣列晶片
2025079
短通道射頻氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率電晶體中電洞生成誘發之關閉態閾值電壓不穩定性
2025089
極紫外光、軟X光螢光鑽石基底光場分析檢測裝置
2025093
ZrS3、GaSe1-xSx 與 MoTe2 功能導向二維材料之光學特性量測與元件實現
2025099
CAPS-Net：用於高效異常檢測的跨尺度區塊注意力原型導向孿生網路
2025100
具泛化能力之多模態瑕疵辨識的描述性嵌入生成方法：應用於 TFT-LCD 製程之零樣本與少樣本情境
2025101
全反射共光程偏振干涉術之折射率量測技術